檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "GaN".ekeyword (精準) and ckeyword.raw="碳摻雜氮化鎵薄膜"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
氮化鎵為第三代高功率半導體熱門材料,在高功率動作下,元件將被施加更高偏壓,因此,如何提升氮化鎵薄膜材料品質以及提升薄膜電阻率攸關元件能否操作在更高功率。本研究針對上述問題提出使用石墨烯介面層結構,降…